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最近遇到用cadence仿真NMOS管电容的问题。
基本原理是，电容容抗 为 \frac{1}{sC} ，交流电压电流关系为 I=sC \cdot V ，取 V=1 ； 2\pi f=1 ，即 f=0.16Hz ，交流仿真得到的电流在数值上就等于电容值。
参考微电子新手入门之Cadence常用仿真--NMOS管的C-V曲线_红豆布丁RFIC-CSDN博客
电路的具体配置：
AC仿真设置
对于TSMC N65工艺库 ，得到的电容结果如下图：
从图中可以看出，VG=0.6V时MOS的电容值约为100pF。
可是DC分析的结果，得到的电容远远小于100pF。
具体原因还不清楚。
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