ANSYS多物理场解决方案采用三星最新FinFET技术
2019年5月13日,ANSYS宣布其多物理场解决方案获得三星代工厂(Samsung Foundry)早期5nm低功耗(5LPE)工艺技术认证,这可帮助双方客户满足新一代5G、人工智能(AI)、高性能计算(HPC)及汽车应用的低功耗高性能需求。
在更小的FinFET几何结构中,由于功耗、散热以及可靠性效应的复杂相关性,工程师面临越来越多的多物理场挑战。这些挑战不仅会影响设计收敛和项目进度,而且还会阻碍性能。双方共同的客户可利用ANSYS多物理场解决方案实现5LPE工艺技术,从而克服这些挑战并加速创新,与其7nm前身相比,5LPE工艺技术可实现更大范围的缩放和超低功耗优势。
三星为其最新5LPE工艺技术认证了ANSYS RedHawk产品系列和ANSYS Totem多物理场解决方案,认证包括寄生提取、电源完整性和可靠性、信号和电网电迁移(EM)等。为支持高级节点的多物理场需求,认证还包括热分析以及自热和统计EM预算(SEB)的签核。
三星电子(Samsung Electronics)设计技术团队副总裁Jung Yun Choi表示:“该认证有助于双方客户满足5G、AI、HPC和汽车应用的严格功耗、性能及可靠性要求。使用ANSYS解决方案,我们的客户可在高级FinFET设计中克服复杂的多物理场挑战,从而保障了芯片成功设计。”
ANSYS战略副总裁Vic Kulkarni表示:“随着亚7nm工艺节点设计利润率不断缩小,如果不能对容易导致芯片失效的物理、电气及热效应准确建模,保护频带就将变得很难确定。作为多物理场仿真领域的领导者,我们可帮助我们共同的客户利用业界一流的解决方案,战胜最困难的功耗、散热及可靠性挑战,帮助他们实现芯片成功。”
以下ANSYS产品已获得三星5LPE认证:
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