Android DDR Flash测试详解：芯片DDR性能测试指南

1、 DDRPHY ZQ CALIB 校准异常，RX CALIB校准不通过。

解决方法：检查PCB设计，纠正ZQ电阻实际连接与IP手册要求不一致问题。

2、 DDR 基本写读测试512MB以上数据量时会出现错误，且出错的地址空间随机。

解决方法：检查PCB板设计，发现多个负载挂在一个电源上导致DDR供电不足，飞线输入单独电源后解决。

3、 DDR3/4提速到1866和2133时不能正常访问，基本的写读数据都会出错。

解决方法：当速率大于1600后需要进行窗口对齐操作，通过逐个扫描DQ 的per-bit-deskew窗口，进行每个DQ的窗口中心对齐，补偿PCB走线延时，使得所有DQ相对DQS最大地满足setup和hold。

4、 DDR3-1866两层板基本读写测试通过，但系统无法播放4K视频。

解决办法：查看CK/CKB与CMD/ADDR的PCB布线，发现走线延时相差较大，根据PCB走线长度差和示波器测量计算延时补偿，通过配置per-bit-deskew完成CMD/ADDR相对CK/CKB的时序补偿。

5、 两层板DDR3-1866常温播放4K视频1~3小时会出现大量死机现象。

解决办法：示波器查看读写DQ眼图波形，发现读操作时DQ的反射较大，影响眼高。通过调整DDRPHY的ODT值使读眼图质量最佳。

6、 两层板DDR3-1866常温播放4K视频拷机48小时后开始出现批量死机。

解决方法：原先测量电源纹波时，接近0.1uf电容端纹波在50mv以内，但多个电源端口连接在一条线上，且在胶漆内部，没有测量，刮线测量距离电容较远端，发现纹波最差300mV，最终在可以刮线焊接电容处焊接两个4.7uf的电容后纹波降到100mV以内。拷机现象改善明显。

7、 两层板DDR3-1866低温播放4K视频拷机1小时开始出现批量死机。

解决办法：低温拷机时用示波器测量DDR波形，发现CMD和ADDR在低温下反射较严重，部分波形反射到了眼中间，导致不满足JEDEC眼高要求。通过降低CMD和ADDR驱动能力解决。

8、 两层板DDR3-1866在GPU和CPU负载较大的场景下出现拷机不稳定。

解决办法：GPU和CPU负载较大的情景下扫描DDR的DQS左右余量，发现在初始化训练好的置中窗口，在负载较大的工作情形下DQ的有效窗口被压缩且偏右。在训练完成后再配置DQS deskew补偿DQ窗口的偏离。DQS的占空比较差，通过调整DQS-DQSB=2的占空比，可增加DQ的per-bit-deskew窗口。

9、 同样的PCB设计图，换生产厂家后部分板子出现概率性不稳定。

解决：查看生产厂家的菲林制作，调宽了信号走线的线宽，导致间距减小，串扰增大。

10、换厂商颗粒后开关机出现概率性write leveling 异常。

解决：PHY在做write leveling 时会发送MR1配置，改命令对应的ADDRESS是一个周期有效，正常读写是2个周期以上，在正常读写训练出来稳定的ADDRESS 延时在单周期时并不稳定。在正常读写情况下训练出ADRESS的deskew最大值边界，然后减250ps左右作为单周期的大致余量。

11、开关机不稳定

解决：AC 的per-bit-deskew值配置需要在初始化DDR颗粒前配好，否则颗粒接收到的初始化命令可能会不稳定

12、MT和NY的颗粒启动和读写操作正常，但换成华邦颗粒后出现Write leveling正常，RXCALIB所有字节出错，降低频率没有改善。测量波形发现读命令发出后，DQS没有返回。

解决：联系颗粒厂商，检查Power On时,Reset high到CKE high是否meet spec(>500us)。镁光的芯片reset和cke不满足这一条也可以，但华邦的会异常。满足后正常启动。

13.LPDDR4 无法跑到最高速率4266
----一般主要是电源纹波不满足，需要添加片上电容，封装电容，以及板级电容优化。

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