华南理工Adv. Mater.新突破:全溶液加工FAPbBr3钙钛矿LED


【引言】
   

金属卤化物钙钛矿(MHP)材料由于其优异的光电性质,近几年在光电领域发展迅速。与钙钛矿太阳能电池的快速发展相比,钙钛矿发光二极管(PeLED)的研究,目前仍然处于初步发展的阶段,其效率和寿命是亟需解决的关键问题之一。有着多层薄膜结构的钙钛矿电致发光器件,界面性质成为制约器件性能的关键。为了提高器件性能,有必要优化器件的各个界面。在阳极侧,空穴注入层(HIL)和发光层(EML)之间的界面在空穴注入、激子猝灭、电子阻挡和钙钛矿层的成膜质量方面起着重要作用。在阴极侧,电子注入层(EIL)和EML之间的界面影响电子注入效率、激子解离和空穴阻挡能力。目前,基于MA体系的CH3NH3PbBr3钙钛矿材料已被大量研究,器件电流效率达到了42 cd/A。然而,基于MA的MHP受热或水分的影响会发生降解。为了增加MHP的结构和热稳定性,可以用离子半径较大的甲脒(FA+)替代MA+。迄今为止,关于FAPbB3的研究较少。



【成果简介】


近日,华南理工大学王坚教授(通讯作者)和王娟红(第一作者)等人在国际顶级期刊Adv. Mater.上发表了文章:“All-Solution-Processed Pure Formamidinium-Based Perovskite Light-Emitting Diodes”。文章基于全溶液正装器件结构制备了高效率长寿命FAPbBr3钙钛矿发光器件。本文研究发现FAPbBr3器件是空穴为多数载流子的器件。为实现载流子平衡,在阳极侧采用PEDOT:PSS 8000作为空穴注入层,取代PEDOT:PSS 4083以抑制空穴电流。在阴极侧,通过选用更小粒径的ZnO纳米颗粒(ZnO NPs)用作PeLED中的电子注入层,以增强电子电流。最终制备的的PeLED性能如下:最大功率效率为22.3 lm W-1,最大电流效率为21.3 cd A-1,外量子效率4.66%,最大亮度为1.09 × 105 cd m-2。在10 000 cd m-2的初始亮度下,T50为436 s。器件启亮电压(1.75 V)低于其带隙,归因于俄歇辅助能量上转换过程。


【图文导读】

图1. 材料的电镜表征。

华南理工Adv. Mater.:效率高,寿命长!全溶液加工的FAPbBr3钙钛矿发光二极管!的图1

a. PeLED的横截面TEM图像;

b. EDS表征PeLED中各种元素的分布:Ag;

c. Zn;

d. Pb。


图2. 将乙醇滴在FAPBBr3薄膜上静置不同时间的XRD图谱。

华南理工Adv. Mater.:效率高,寿命长!全溶液加工的FAPbBr3钙钛矿发光二极管!的图2


图3. 器件结构及能级示意图。

华南理工Adv. Mater.:效率高,寿命长!全溶液加工的FAPbBr3钙钛矿发光二极管!的图3

a. 器件结构示意图;

b. 能带示意图;

c. 不同HIL的PeLED的J-V-L曲线;

d. LE-J曲线,插图: 10mA cm-2电流密度下PeLED的EL光谱。


图4. 器件性能分析测试。

华南理工Adv. Mater.:效率高,寿命长!全溶液加工的FAPbBr3钙钛矿发光二极管!的图4

a. 不同PEDOT:PSS的XPS谱图;

b. 光致发光光谱图;

c. FAPbBr3在不同PEDOT上的瞬态荧光光谱。


图5. 亚带隙启亮分析。

华南理工Adv. Mater.:效率高,寿命长!全溶液加工的FAPbBr3钙钛矿发光二极管!的图5

a. 不同驱动电压下对应的EL光谱;

b. 俄歇辅助能量上转换过程示意图


图6. 不同粒径氧化锌纳米颗粒做EIL器件性能。

华南理工Adv. Mater.:效率高,寿命长!全溶液加工的FAPbBr3钙钛矿发光二极管!的图6

a. J-V-L曲线;

b. LE-J曲线,插图: 10mA cm-2电流密度下的EL光谱;

c. PL光谱;

d. 不同粒径ZnONPs的瞬态荧光光谱;

e. 陷阱态密度;

f. 初始亮度为10 000 cd m-2时的器件寿命。



【小结】
 

本文通过使用ZnO NPs作为EIL和PEDOT:PSS 8000作为HIL,制备了基于FAPbBr3的高效PeLED器件。由于该器件是空穴主导,通过增大电子电流、抑制空穴电流,最终得到器件性能:PE为22.3 lm W-1,CE为21.3 cd A-1,EQE为4.66%,亮度为1.09 × 105 cd m-2,并且在10 000 cd m-2的初始亮度下实现T50 = 436 s。亚带隙启亮可归因于俄歇辅助能量上转换。在阳极侧,虽然PEDOT:PSS 8000具有比PEDOT:PSS 4083更高的功函数,但富含PSS的表面在HIL/EML界面处形成绝缘层,既阻挡空穴电流有助于电荷平衡,并防止激子淬灭。通过使用小粒径的ZnO NP(迁移率增大、功函数减小)作为EIL,进一步平衡了过量的空穴电流。

免责声明:本文系网络转载或改编,未找到原创作者,版权归原作者所有。如涉及版权,请联系删

相关推荐
技术文档
QR Code
微信扫一扫,欢迎咨询~

联系我们
武汉格发信息技术有限公司
湖北省武汉市经开区科技园西路6号103孵化器
电话:155-2731-8020 座机:027-59821821
邮件:tanzw@gofarlic.com
Copyright © 2023 Gofarsoft Co.,Ltd. 保留所有权利
遇到许可问题?该如何解决!?
评估许可证实际采购量? 
不清楚软件许可证使用数据? 
收到软件厂商律师函!?  
想要少购买点许可证,节省费用? 
收到软件厂商侵权通告!?  
有正版license,但许可证不够用,需要新购? 
联系方式 155-2731-8020
预留信息,一起解决您的问题
* 姓名:
* 手机:

* 公司名称:

姓名不为空

手机不正确

公司不为空