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(十五)基于Cadence 617 gmid设计方法的两级放大器设计教程

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设计要求

VDD=2.5V,AV≥10M,CL=10pf,SR=10V/us,I≤800u VDD = 2.5 V, A_{V} \ge 10M,C_{L}=10pf,SR=10V/us,I\le800 uVDD=2.5V,AV​≥10M,CL​=10pf,SR=10V/us,I≤800u

1. gmid曲线

  NMOSimage-20230727002531779

image-20230727002556278

  PMOSimage-20230727002938516

image-20230727002956153

2. 指标公式


AVGBWSRfdfnd
AV1AV2gm12πCc\frac{\Large g_{m1} }{\Large 2\pi C_{c}}2πCc​gm1​​ICL\frac{\Large I}{\Large{C_{L}}}CL​I​12πCCAV2rout1\frac{1}{\Large 2\pi C_{C}A_{V2}r_{out1}} 2πCC​AV2​rout1​1​gm8CL2π\frac{\Large g_{m8}}{\Large C_{L}2\pi }CL​2πgm8​​

3. 电容的选取

  CL 考虑寄生参数实际电路计算取 1.2 CL,CL = 12 pf

  CC = 0.2 ~ 0.3 CL ,计算取 CC = 3.6 pf

4. 稳定性要求

  单极点近似:ωu=GBW=gm12πCc\omega _{u} = GBW = \frac{\Large g_{m1} }{\Large 2\pi C_{c}}ωu​=GBW=2πCc​gm1​​

  相位裕度要达到 60° ,需要 ωp2=2∼3 ωu\omega _{p2} = 2 \sim 3\,\omega _{u} ωp2​=2∼3ωu​ ωp2=2.3 ωu\omega _{p2} = 2 .3\,\omega _{u} ωp2​=2.3ωu​

     gm8 / gm1 = 10 才能有一个好的稳定性

5. gmid 方法步骤

  1. 从GBW出发决定op的gm(CL一般为定值) GBW=gm2πCLGBW= \frac{\Large g_{m} }{\Large 2\pi C_{L}}GBW=2πCL​gm​​
  2. 根据增益与速度选择一个合适的 L
  3. 短沟道有着高的速度 ft=gm2πcgs=12π32μVOVL2f_{t}=\frac{\Large g_{m}}{\Large 2 \pi c_{g s}}=\frac{1}{2 \pi} \frac{3}{2} \frac{\mu V_{O V}}{L^{2}}ft​=2πcgs​gm​​=2π1​23​L2μVOV​​
  4. 长沟道有着大的增益 AV=gmrDS=2VELVOVA_{V}=g_{m} r_{D S}=\frac{2 V_{E} L}{V_{O V}}AV​=gm​rDS​=VOV​2VE​L​
  5. 选择MOS的gm/Id

        大的gm/id (做放大器,使得电压噪声要小,低功耗 ,宽摆幅,小的过驱动电压)

        小的gm/id (做电流源,使得电流噪声要小,高速度)
  6. 决定电流 I*(由1 的gm,3的gm/Id决定)
  7. 从 gm / Id VS Id / w 表中,查3 中gm / Id对应的Id / w,将I*除以 Id / w 得到 W *

6. 计算

  

M1,2 参数选取

  

​ 考虑 gm1,2 为放大器设计 gm/ID = 12( 考虑噪声的影响 ),取 gm1,2 = 720u,则 I1,2 = 60 u

AV = 1000 ,有两级运放 第一级 AV1 ≥ 40 ,第二级 AV2 ≥ 30

  1. 决定 gm :ICL≥10 v/us,CL=10 pf,I≥100 ugm12πCc≥10 M,gm1.2≥ 226.2u,gm1.2I≥ 2.26\frac{\large I}{\Large C_{L} } \ge 10 \,\,v/us,{C_{L} } = 10 \,\,pf,I \ge 100 \,\,u\\ \frac{\large g_{m1} }{\large 2\pi C_{c}} \ge 10\,M,\large g_{m_{1.2}} \ge\, 226.2 u,\frac{\large g_{m_{1.2}}}{\large I} \ge \,2.26\\ CL​I​≥10v/us,CL​=10pf,I≥100u2πCc​gm1​​≥10M,gm1.2​​≥226.2u,Igm1.2​​​≥2.26 gm1,2 / ID1,2 = 12 , 取 gm1,2 = 720 u, ID1,2 = 60u
  2. 选一个合适的 L 从表可以看出 本征增益 大于 80 可选取 L = 400 n
  3. 选择MOS的gm/Id 考虑到噪声的影响,选取 gm1,2 / ID1,2 = 12
  4. 决定电流 I* 由 1 的gm1,2 与 2 的 gm1,2 / ID1,2 = 12 得到 ID1,2 = 60 u
  5. 求 W * ID/W = 5.5 则 W * = I / ID/ W = 10.9u*

  M6 参数选取

​   ID1,2 = 60 u 则 ID6 = 120 u

​   取 L = 1 u, gm6 / ID6 = 10 计算 g m6 = 1200 u

​   查表得 ID/ W = 3.7 ,得 W6 = 32.43 u

ngmid 10

M3,4 参数选取

  ​ ID3,4 = 60 u

  ​ 取 L = 1 u, gm6 / ID6 = 10 计算 g m6 = 600 u

​   查表得 ID/ W = 0.912 ,得 W3,4 = 65.64 u

0.912

  M8 参数选取

​    gm8 / gm1 = 10 才能有一个好的稳定性,则 gm8 = 7.2 m

​   L = 200 n , gm8 / ID8 = 12 , ID8 = 600 uA

​    查表得 ID/ W = 3.85 ,得 W8 = 155.84 u

p3.85

  M7 参数选取

​    L = 1 u (同6) , gm7 / ID7 = 10 , ID7 = 600 u, gm7 = 6 m

​   查表得 ID/ W = 3.7 ,得 W8 = 162.1 u

  M5 参数选取

​    M5与M6构成一个电流镜,选取同样的规格就行

   电流源

​   ID6 = 120 u ,电流源提供 120 u 的电流

7. 参数汇总表


gm/IDgmIDID/WLW
M1 、M212720 us60 u5.5400 n10.9 u
M3 、M410600 us60 u0.9141 u65.64 u
M5 、M6101.2 ms120 u3.71 u34.43 u
M8127.2 ms600 u3.85200 n155.48 u
M7106 ms600 u3.71 u162.1 u

8. 电路图

在这里插入图片描述

9 . 仿真

  DC 仿真

在这里插入图片描述

在这里插入图片描述

  稳定性仿真

在这里插入图片描述

  压摆率

在这里插入图片描述

  零极点仿真

在这里插入图片描述


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