我们都知道,晶体管最常见的就是I-V曲线,那么我们可以在IC618里去做I-V曲线仿真,获得需要的工作电流。即为IDS。
仿真电路图如图所示:

仿真打开ADEL,并且在ADEL打开设置变量。1.仿真选择DC-仿真,保存DC工作点,设置vd为变量,设置vd的扫描范围。2.在ADEL工具栏选择TOOLS-Parametric Analysis,设置vgs的扫描范围。3.单击MOS的D极,设置IDS电流仿真。
得到仿真图:(因为本次仿真是大功率mos,所以ids很大,通过改变fingers的数目和改变finger width 即可调节工作电流)。

寄生电容的仿真:因管子主要是用在射频领域,故使用S参数仿真,设置端口方法类似于ADS。

仿真时采用S参数仿真。

仿真输出处,首先仿真 imag(ypm('sp 1 1)) 。imag(ypm('sp 1 1)) 这个语句的作用是提取Y参数矩阵中 Y11元素的虚部,也就是电路在输入端口的虚部导纳。这个虚部通常对应于电路中的电抗分量(如电感或电容的影响)。
仿真结果为:

接下来利用这个式子仿真寄生电容:使用等式 ((1e+12 * imag(ypm('sp 1 1))) / (6.28 * xval(imag(ypm('sp 1 1))))) 去测量。
至于为什么使用这个等式?。详见如下解释:


仿真结果如下:

仿真的设置界面为:

至此,本文仿真全部结束。
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