使用fluent和thermoelectric模块进行热电模拟,其中热电部分为单向耦合,即仅通过塞贝克效应考虑温度对电的影响。其中一些概念仅为笔者自己的理解,如有谬误欢迎各位提出讨论!
通过半导体材料两边稳定的温差能够形成电势差,又称为热电第一效应,基本公式为:
V a b = ∫ T 1 T 2 ( S B − S A ) ( T 2 − T 1 ) d T \ V_{ab} = \int_{T_1}^{T_2} (S_B-S_A)(T_2-T_1)dT\, Vab=∫T1T2(SB−SA)(T2−T1)dT
对单个材料定义绝对塞贝克系数:
S = lim Δ T → 0 V Δ T S=\lim\limits_{\Delta T\to0}\frac{V}{\Delta T} S=ΔT→0limΔTV
几何部分设计两组pn结,外电路部分设计为一个闭环。设定上方为冷源和散热片,下方为热源。
对于流场部分设定inflation边界层。
对于几何较为规整的pn结、电阻等部分使用扫略的网格生成方式,但是底部连接部分扫略网格出现畸变,目前还没有解决方法。
打开能量方程-添加材料性质-设定边界条件-设置求解方法-初始化-计算求解
接触面温度场:
添加单独的热电模块之后在engineering data中添加所需材料,其中pn结与电阻材料需要自定义,添加新材料后增加所需要的性质。(电阻材料除了电导率外需要再添加其他性质,否则最后计算时会出现licsence权限问题,无法计算纯电学问题)
在workbench中导入和之前模型一致的几何,在model中添加材料的对应并生成自动网格(这里网格不需要与之前的网格一致,并且不需要考虑流场,可以将流体域部分以及散热片部分的几何抑制)
1)在imported load中新增temperature边界条件,选中与散热片的连接面。
2)在总边界条件中增加下表面的温度条件。
3)选中一个交界面作为电势0点。
设置好边界条件后进行求解。
温度场:
电流密度:
电势场:
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