本文介绍了两种双绞线建模方法,通过HFSS +Circuit场路协同仿真 ,分析差分线采用双绞与非双绞架构的辐射发射差异。
方法一(Draw Helix ):绘出需要双绞的线缆截面sheet,使用Draw Helix功能,设置节距Pitch与节数Turn,沿着设定方向进行双绞;
方法二(Sweep Along Path ):绘出需要双绞的线缆截面Sheet,沿着需要双绞的方向绘制Line,选中Sheet与Line,使用Sweep Along Path,设置绞线总度数360*N;
方法二在使用上有更高的自由度,可以沿着任意线条路径进行扫描
新建Circuit工程,并将HFSS模型添加至Circuit,将差分线的端口分别与激励源、匹配电阻进行连接,设置Nexxim Transient求解;
求解完成,右击HFSS链接的模型,Push Excitations(将Circuit中的仿真结果以数据导入的方式Push至HFSS),根据需要调高Maximum Frequency,FFT窗口类型最好选择Hanning ;
观察对比两种结构线缆在相同激励下的1m法辐射差异;
显然,采用双绞线的差分线对辐射量级更低一些;(这里只保存了三个频点的场数据,如果需要对比更多频点,在求解设置里Save Field的频点要多加一些)
导致两种结构线缆的辐射差异原因:双绞线在单位长度内的磁力线总是相互抵消的;
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