doris与dci技术架构实例分析

引言:随着FPGA容量越来越大,系统时钟速度越来越快,PC电路板设计和制造更加困难。随着更快的信号边沿速率,保持信号完整性成为关键问题。PC电路板必须恰当的端接避免反射和振铃。本节我们介绍Xilinx器件DCI技术,包括以下内容:

  • DCI技术概述
  • DCI级联技术
  • DCI端接方式

1.DCI技术概述

doris技术架构 dci架构实例_端接

图1、信号过冲波形

为了端接PCB走线,附加的电阻需要添加到接收器或者驱动器以匹配走线阻抗。然而随着随着器件I/O数量增加,附加的电阻会增加电路板面积和组件数量,在某些情况下增加电路板尺寸是不可能的。为了解决此问题达到更好的信号完整性,Xilinx开发了数字阻抗控制(DCI)技术。

基于I/O标准,DCI可以控制输出驱动阻抗或者添加一个并行端接在驱动器或者接收器,最终的目标都是精确匹配传输线阻抗,保证信号传输完整性。DCI主动调整I/O内部的阻抗,以校准VRN和VRP引脚上的外部精密参考电阻。它可以补偿因逻辑处理、温度和电压变化而引起的I/O阻抗变化。

对于可控阻抗驱动器的I/O标准,DCI控制驱动器阻抗匹配两个参考电阻,或者对于某些标准,匹配一半这些参考电阻的值。

对于使用可控并行端接I/O标准,DCI为驱动器和接收器提供并行端接。这消除了电路板上端接电阻,较小了PCB布线的难度和器件数量,并且改善信号完整性。DCI特性只能在HP bank中应用,HR bank不具有该特性。

1.1 Xilinx DCI技术

在每个bank中,DCI使用两个多功能参考管脚控制驱动器阻抗或者并行端接值。N参考管脚(VRN)必须通过参考电阻上拉到VCCO,P参考管脚(VRP)必须通过另外一个参考电阻下拉到GND。每个参考电阻的值等于电路板走线特性阻抗或者2倍于特征阻抗值。



在设计中实现DCI:

  • 分配DCI I/O标准到HP bank
  • 将VRN多功能管脚通过精确电阻上拉到该bank的VCCO电源轨
  • 将VRP多功能管脚通过精确电阻下拉到GND

下面的部分内容将讨论如何决定不同I/O标准的VRN和VRP管脚的精确电阻值。同一个bank内的所有DCI标准共享相同的外部精确电阻。如果在相同的I/O bank列中,几个I/O bank使用DCI,并且这几个bank使用相同的VRN/VRP电阻值,则内部VRN/VRP节点可以级联,此时,这同一列中的所有 I/O bank要求的精确电阻只需要一对管脚连接,无需每个I/O bank都要连接精确电阻。这种特性称为DCI级联。该部分也会描述如何判定I/O bank位于相同的I/O bank列中。如果DCI I/O标准在该bank中使用,则该bank可以作为普通I/O使用。



DCI通过选择打开或关闭I/O内部的晶体管调整I/O阻抗,该阻抗匹配外部参考电阻。该调整发生在器件启动时。默认情况下,DONE管脚不会拉高直到第一部分阻抗调整完毕。DCI校准可以通过例化DCIRESET原句实现复位。

DCI配置输出驱动器有以下两种类型:

  • 控制阻抗驱动器(源端接)
  • 使用半阻抗控制阻抗驱动器(源端接)

对于支持并行端接的I/O标准,DCI产生一个戴维宁等效或者分割阻抗到VCCO/2。

1.2 某些Bank特使DCI要求

如果用户将任何 bank14或者15(任何器件)或者bank11,12,17,18,20和21(SSI技术器件)的I/O标准设计为DCI I/O,则DCIRESET原句应该包含在设计中。这种情况下,设计应该产生RST复位脉冲给DCIRESET原句,直到该原句产生LOCKED信号后,才可以将这些管脚作为DCI标准 I/O使用。这是因为这些类型的bank I/O在器件正常初始化时没有进行初始化DCI校准功能。

2.DCI级联技术

使用DCI I/O标准的7系列FPGA HP I/O Bank可以选择从另一个HP I/O Bank导出DCI阻抗值。如图所示。内部分配的数控总线通过bank控制每个I/O的阻抗。

doris技术架构 dci架构实例_控制驱动_02

图2、单个bank内的DIC使用

使用DCI级联,一个I/O bank(主bank)必须将VRN/VRP管脚连接到外部参考电阻。其他和主bank在同一列的I/O bank(Slave banks)可以使用DCI标准,并且阻抗值和主bank阻抗相同。这些从bank无需将VRN/VRP管脚连接外部电阻,级联的DCI阻抗控制来自I/O主bank。

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图3、多个I/O bank实现DCI级联

图3显示了多个I/O bank实现DCI级联,其中B bank为主bank,A和C为从bank。

使用DCI级联时,推荐遵循以下指导:

  • DCI级联只能用于同一列中的HP I/O banks
  • DCI级联不能跨过器件边界,特别大容量器件,如Virtex-7器件
  • 主、从bank必须具有相同的VCCO和VREF电压
  • 同一HP I/O列中的I/O bank,不使用DCI标准的banks不用遵循VCCO和VREF电压
  • 所有主、从bank都必须满足DCI I/O bank兼容性规则
  • Xilinx推荐未使用的bank应该供电,因为不使用的I/O bank的VCCO不供电会降低这些管脚的ESD管脚保护等级。如果bank未供电,级联的DCI任然可以通过未供电的bank。

3.DCI端接方式

1.1 阻抗控制驱动器(源端接)

为了优化高速或者高性能应用信号完整性,驱动器必须有输出阻抗以匹配传输线特征阻抗,否则由于阻抗不连续将会引起信号反射。为了解决此问题,设计者有时需要在高驱动,低阻抗驱动器放置外部串行端接电阻。该电阻的阻值和驱动器输出阻抗之和应该和传输线阻抗相等。

DCI I/O标准支持:LVDCI_15/LVDCI_18/HSLVDCI_15/HSLVDCI_18/HSUL_12_DCI/DIFF_HSUL_12_DCI。

图4举例了控制阻抗驱动器。

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图4、DCI驱动器

1.2 半阻抗控制阻抗驱动器(源端接)

该端接方式支持LVDCI_DV2_15和LVDCI_DV2_18电平标准。图5举例了这种端接方式驱动器,其中R等于2×Z0,Z0为传输线阻抗。



1.3 分体式DCI(戴维宁等效端接到VCCO/2)

一些I/O标准(例如,HSTL和SSTL)要求输入端接电阻R上拉到VTT电压,即VCCO/2电压,如图6所示。

doris技术架构 dci架构实例_doris技术架构_06

图6、输入端接到VCCO/2,未使用DCI

图6为等效的戴维宁并行端接,为了满足图中要求,通常将VRN/VRP管脚连接100Ω精密电阻,支持DCI分立端接的标准如图7所示。

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图7、所有支持分立端接的DCI I/O标准



7系列器件分立端接DCI举例如图8所示。

doris技术架构 dci架构实例_级联_08

图8、输入端接DCI控制,外部VRN/VRP电阻 =2R

1.4 DCI和三态DCI(T_DCI)

I类SSTL和HSTL I/O标准只支持单向信号,它们要么只能作为输入或者只能作为输出,不支持双向。I类SSTL和HSTL I/O只支持输入分立端接DCI。II类SSTL和HSTL(或者SSTLII和HSTLII)支持单向和双向信号,该标准信号支持输入、输出、双向管脚分立端接DCI。

doris技术架构 dci架构实例_级联_09

图9、使用DCI分离端接(外接电阻VRN/VRP = 2R)



当使用分立端接驱动时,DCI只控制端接阻抗,不控制驱动器。T_DCI只用于双向I/O管脚。对于单向输入管脚可以使用DCI版本标准,对于单向输出管脚non-DCI和DCI版本表均可分配。

支持分离端接DCI I/O标准如图10所示。

doris技术架构 dci架构实例_端接_10

图10、支持分离端接DCI I/O标准

支持分立T_DCI I/O标准如图11所示。注意:T_DCI标准只能用于双向管脚。

doris技术架构 dci架构实例_级联_11

图11、支持分立T_DCI I/O标准


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