IGBT热仿真对比分析案例

IGBT模型

每个Diode芯片功耗为33.425Ｗ，每个IGBT芯片功耗为99.05Ｗ，顶层硅胶导热系数为0.15W/m×K，冷却液温度为常温水（25℃），进口速度为1m/s。

IGBT模组温度云图（隐藏上层硅胶）

Icepak
FloTHERM

Error=(67.9-65.647)/65.647=3.43%

IGBT模组温度云图

Icepak
FloTHERM

Error=(67.9-65.647)/65.647=3.43%

冷板截面温度云图

Icepak
FloTHERM

Error=(32.3-31.3552)/31.3552=3.01%

冷板截面速度矢量图

Icepak
FloTHERM

Error=(1.4823-1.37)/1.37=8.2%

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