Cadence layout概念知识：版图图层和物理图层关系全解析

不好好学习，总有一天是要还债的。
这就是我2年前胡乱交一通作业，而现在需要从头回顾。

1. Cadence的文件管理层次

2.Layout 版图

1.1 layout 界面图层说明

2.2 版图图层和物理图层之间的关系

我之前一直搞不懂，只是照葫芦画瓢 0 0
现在来还债

首先看下整体MOS管 子的物理模型

1. 没有颜色的黑色layout背景其实代表P型si衬底

因此，NMOS直接画在黑色的背景上，但是PMOS必须画一个nwell (n型阱)

2.有源区（N+、P+和沟道）

N+图层—Active+nselect(选择性参杂)

P+图层—Active图层+pselect(选择性参杂)

其中n/p select包围有源区

3.栅氧化层 在layout中不显示

4.多晶层 poly

5.介质层

金属层通过contact和S,D，G连接才能形成S.D.G极

介质层是图中白的部分，layout中没有单独的图层。但是版图中定义了Contact图层

6.金属层

与电源、地相接的线

7.沟道

沟道长L=Poly宽度（红色多晶）

沟道宽W=有源区（蓝色部分）的宽度

1.2注意点

• Poly的长度一般超出有源区的长度（防止刨刻时出现漂移），但是也不能超太过（会引起版图面积过大）。

• layout画图顺序和工艺顺序不一致，画完poly之后我们需要知道contact的位置。

注意contact和poly之间的距离

contact和active之间的距离

• n/p select包围有源区

注意边缘与边缘之间的距离

• 如果已经画好NMOS，可以复制一个MOS然后改图层属性为PMOS

别忘记PMOS有nwell包围！！！

• 衬底接触

PMOS衬底接触孔（ND-C,NPLUSE.DIFFUSION.CONTACT）一般放在PMOS上方（接电源），为了后期布线时候可以直接通过电源线将衬底接触连接。

（PMOS管的衬底接触在nwell之内！！！！!！！！！！！，注意边缘到边缘的距离。）

NMOS衬底接触孔(PD-C,PPLUSE.DIFFUSION.CONTACT)一般放在NMOS下方（接地）

衬底接触孔一般靠近晶体管的源端（这样走线较短，不会产生多余的电阻）

• 多晶SI（POLY）相连接+孔（作电极）=栅极电源线的连接