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碳化硅冶炼炉与传统的材料合成炉类似，但是四壁密封前期模拟一直存在一个问题，如采用四壁密封边界温度场符合要求，但是炉内压力出现负压，这说明此类边界设置还是有问题。
本期采用多孔介质模型，将炉体顶部设置为压力出口，热源上部至顶部区域为多孔过渡区域。
顶部使用fluent的pressure-outlet边界条件
温度场
压力场
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