化学气相沉积的模拟艺术:深入理解与应用

本案例演示利用Fluent模拟计算化学气相沉积(CVD)过程。案例数据来自Fluent Tutorials文档。


工程上常采用化学气相沉积方法(chemical vapor deposition,CVD)生产半导体砷化镓GaAs,其反应装置示意图如下图所示。

化学气相沉积模拟的图1


工艺气体三甲基镓(Ga(CH3)3)和砷化氢(AsH3)通过顶部的进气道以温度293k进入反应器。气体在旋转的热圆盘上流动,从而在圆盘上沉积薄薄的镓和砷层。圆盘旋转产生径向抽运效应,迫使气体以层流的方式流动到生长表面并向外穿过圆盘,最终从反应器中排出。


案例涉及到的化学反应:

化学气相沉积模拟的图2

入口气体包含三甲基镓(质量分数0.15)、砷化氢(质量分数0.4)以及氢气。入口混合物速度为0.02189 m/s,圆盘旋转速度80 rad/s。反应器顶部壁面(wall-1边界)加热至437 K,侧壁面(wall-2)温度维持在343 K,基座(wall-4)加热至均匀温度1023 K,下壁面(wall-6)温度303 K。



1 启动Fluent并导入网格

计算网格如图所示。

化学气相沉积模拟的图3

  • 鼠标双击模型树节点General,右侧面板点击按钮Scale…弹出网格缩放对话框,如下图所示,设置Mesh Was Created In为cm,点击按钮Scale缩放网格
  • 点击Close按钮关闭对话框

化学气相沉积模拟的图4

2 模型设置

  • 右键选择模型树节点Models > Energy,点击弹出菜单项On开启能量方程

化学气相沉积模拟的图5

  • 鼠标双击模型树节点Models > Species弹出设置对话框,如下图所示,激活选项Species Transport,激活选项Volumetirc及Wall Surface,取消选项Heat of Surface Reactions,选中选项Mass Deposition Source,激活选项Diffusion Energy Source、Full Multicomponent Diffusion及Thermal Diffusion

化学气相沉积模拟的图6




3 定义材料属性及化学反应


1、材料库中添加材料

  • 鼠标双击模型树节点Materials > Fluid > air打开的对话框中点击按钮Fluent Database进入材料数据,从Fluent材料数据库中添加如下表所示4种材料,并修改材料属性。

化学气相沉积模拟的图7

  • 创建沉积相组分(Ga_s及As_s)及固相组分(Ga及As),其材料参数如下表所示。

化学气相沉积模拟的图8

注:这里沉积相固相的材料定义时按流体材料属性定义。



2、定义混合物

  • 鼠标双击模型树节点Materials > Mixture > mixture-template,弹出材料定义对话框,修改材料名称为gaas_deposition

化学气相沉积模拟的图9

  • 点击Mixture右侧按钮Edit弹出设置对话框,如下图所示选择各种反应组分

化学气相沉积模拟的图10

注:确保h2位于组分列表的最下方



3、定义化学反应

本案例需定义两个化学反应:

化学气相沉积模拟的图11

  • 鼠标点击Reaction右侧按钮Edit…进入化学反应定义对话框,设置参数Total Number of Reactions为2,如下图所示定义第1个化学反应

化学气相沉积模拟的图12



  • 设置ID为2,如下图所示定义第2个化学反应

化学气相沉积模拟的图13

  • 点击OK按钮关闭对话框,返回至Create/Edit Materials对话框,点击对话框中Mechanism右侧按钮Edit…弹出如下图所示设置对话框
  • 按图中参数进行设置,点击按钮Define…弹出沉积参数对话框

化学气相沉积模拟的图14

  • 如下图所示设置沉积相参数

化学气相沉积模拟的图15



  • 关闭反应机理设置对话框,返回至Create/Edit Materials对话框,如下图所示设置混合物材料参数

化学气相沉积模拟的图16

  • 点击按钮Change/Create修改材料参数


4 边界设置

1、velocity-inlet边界设置

  • 鼠标双击模型树节点Boundary Conditions > velocity-inlet弹出速度入口设置对话框,进入Momentum标签页,设置Velocity Magnitude为0.02189 m/s

化学气相沉积模拟的图17

  • 进入Thermal标签页,设置Temperature为293 K

化学气相沉积模拟的图18

  • 进入Species标签额,如下图所示设置ash3质量分数为0.4,设置game3的质量分数为0.15,设置ch3质量分数为0,点击OK按钮关闭对话框

化学气相沉积模拟的图19



2、outlet边界设置

  • 鼠标双击模型树节点Boundary Conditions > outlet弹出设置对话框,如下图所示,Momentum标签页保持默认设置

化学气相沉积模拟的图20

  • 进入Thermal标签页,设置Temperature为400 K

化学气相沉积模拟的图21

  • 进入Species标签额,如下图所示设置ash3质量分数为0.32,设置game3的质量分数为0.018,设置ch3质量分数为0.06,点击OK按钮关闭对话框

化学气相沉积模拟的图22



3、wall-1边界设置

  • 鼠标双击模型树节点Boundary Conditions > wall-1弹出设置对话框,如下图所示,进入Thermal标签页,设置Temperature为473 K

化学气相沉积模拟的图23



4、wall 2边界设置

  • 鼠标双击模型树节点Boundary Conditions > wall-2弹出设置对话框,如下图所示,进入Thermal标签页,设置Temperature为473 K

化学气相沉积模拟的图24



5、wall-4边界设置

  • 鼠标双击模型树节点Boundary Conditions > wall-4弹出设置对话框,如下图所示,设置该边界选择速度为80 rad/s

化学气相沉积模拟的图25

  • 进入Thermal标签页,设置Temperature为473 K

化学气相沉积模拟的图26

  • 进入Species标签页,如修图所示,激活选项Reaction,点击OK按钮关闭对话框

化学气相沉积模拟的图27



6、wall- 5边界设置

  • 鼠标双击模型树节点Boundary Conditions > wall-5弹出设置对话框,如下图所示,设置该边界选择速度为80 rad/s

化学气相沉积模拟的图28

  • 进入Thermal标签页,设置Temperature为720 K,点击OK按钮关闭对话框

化学气相沉积模拟的图29



7、wall 6边界

  • 鼠标双击模型树节点Boundary Conditions > wall-6弹出设置对话框,进入Thermal标签页,设置Temperature为303 K,点击OK按钮关闭对话框

化学气相沉积模拟的图30


5 设置操作条件

  • 鼠标双击模型树节点Boundary Conditions,点击右侧面板按钮Operating Conditions,弹出设置对话框,如下图所示,设置Operating Pressure为10000 Pa,设置Operating Temperature为303 K
  • 其他参数保持默认设置,点击按钮OK关闭对话框

化学气相沉积模拟的图31


6 计算初始化

  • 鼠标双击模型树节点Initialization,右侧面板激活选项Hybrid Initialization,点击按钮Initialize开始初始化计算

化学气相沉积模拟的图32


7 计算求解

  • 鼠标双击模型树节点Run Calculation,右侧面板设置参数Number of Iterations为1000,点击Calculate按钮开始计算。

化学气相沉积模拟的图33

注:若计算收敛困难,可先关闭化学反应,待计算收敛后再开启化学反应计算。


8 后处理

  • 沉积面Wall 4上的ga沉积率

化学气相沉积模拟的图34

  • 沉积面Wall 4上的ga_s沉积率

化学气相沉积模拟的图35

  • z=0.07m面上温度分布

化学气相沉积模拟的图36


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