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最近，第三代半导体又迎来多重利好：
新能源汽车方面——小米宣布投100亿造车；华为与北汽、赛力斯联合打造新能源汽车；五菱与大疆联手造车。但造车势力远不止这些，截至3月底已经有1348家企业加入富士康的造车平台。
快充方面——华为发布了三款快充产品，正在布局“无处不在”的超级快充；同时，消费类充电头将继续增长，据预测，今年整体市场将达到3000亿元。
这将为氮化镓、碳化硅带来哪些影响？未来第三代半导体市场前景如何？近期，国星光电推出一系列第三代半导体新产品，借此机会，我们就相关话题与国星光电进行了探讨。
新能源车企解决落地难题
国星碳化硅新品有望提供助力
新能源汽车真正要落地，亟需解决续航、快充、充电难等问题，最近，华为、蔚来、广汽等企业的相关动作，有望打消消费者的购车顾虑。
→ 4月中旬，广汽集团宣布年底量产1000公里续航里程的电动车，并发布两款超级快充电池技术，能实现8分钟充满80%电量。同时，还计划年内布局超过100个超级快充站。
→ 4月15日，蔚来与中国石化合作建设首座换电站，“十四五”时期，中国石化将建设5000座充换电站。
→ 4月18日， 华为发布了AI闪充动力域全栈高压平台解决方案，SOC充电30%-80%仅需15分钟。
新能源汽车的快速发展，有望进一步带动第三代半导体需求。Yole公司预测，2025年新能源汽车碳化硅营收将达到15.53亿美元（101.7亿人民币），年复增长率达到38%；而汽车充电桩可为碳化硅贡献2.25亿美元（14.7亿人民币）营收，年复增长率达到90%。
国星光电表示，针对大功率电源、充电桩等领域，公司近期推出了一系列碳化硅器件。
据介绍，国星光电SiC功率器件小而轻便，反向恢复快、抗浪涌能力强、雪崩耐压高，拥有优越的性能与极高的工作效率。目前该领域已形成了2条SiC功率器件拳头产品线：SiC-MOSFET、SiC-SBD；拥有4种封装结构（TO-247、TO-220、TO-263、TO-252）。
据“三代半风向”了解，该公司的TO-220/TO247系列SiC-MOSFET和SiC-SBD产品已经进入了试产阶段，并且在样品阶段完成了AEC-Q101车规级标准的摸底测试验证工作。其中，TO-247-3L的性能达到1200V、40A、80mΩ，TO-220-3L达到1200V、13A、160mΩ。
与此同时，公司产品已送至第三方有资质的机构，正在依据AEC-Q101、JESD22、MILSTD-750等有关车规级和工业级标准进行认证测试。
快充领域
国星GaN器件将打开更多应用
此外，快充也会迎来新的市场扩容机遇。
4月14日-16日，华为与合作伙伴展示了3款快充新产品——快充排插、快充墙插、快充学习台灯，以期为快充技术打开酒店、家居、旅行等更多应用场景。
华为希望“重新定义用电习惯，让超级快充无处不在”，而氮化镓的应用领域也将大幅扩延，目前相关企业已瞄准这一方向。
国星光电告诉“三代半风向”，最近公司推出了GaN-DFN器件，除了手机充电头和汽车充电外，它也能够集成在插座开关和家电等领域。
据介绍，国星光电的GaN-DFN器件具有更高的临界电场、出色导通电阻、更低的电容等优势，使其尤适用于功率半导体器件，降低节能和系统总成本的同时，工作频率更高，具有极高的功率密度和系统效率，可极大地提升充电器、开关电源等应用的充电效率。
与此同时，不断增长的手机充电头市场也在拉动氮化镓需求。随着华为、苹果、三星、小米、魅族等手机厂商纷纷取消充电头，第三方充电头销量暴增，天猫商城销量前十的快充产品月销量都在2.6万笔以上。国元证券认为，2021年全球快充市场预计可达到3000亿元，市场空间广阔。
不过，快充市场的短时间急剧爆发，使得氮化镓器件缺货严重。据了解，台湾某氮化镓厂的新客户最长需要280天才能交货，而国内企业的产品供应也面临巨大挑战。为此，国星光电的适时介入，一定程度上将有助于缓解企业的产品供应难题。
能效标准更严，市场更大
以封测优势解决三代半技术挑战
除了快充和汽车领域外，随着无线通信、绿色能源、数据中心以及物联网应用需求的不断增加，能效标准将变得更加严格，因此功率器件也将变得越来越重要。
国星光电认为，碳化硅和氮化镓功率器件在不间断供电和逆变器等领域很有潜力，仅逆变器需求就包括光伏、大功率电机、车载DC-DC和AC-DC模块等。
据介绍，国星光电已经形成了3大强势三代半产品矩阵，除了上面提到的SiC功率器件、GaN-DFN器件外，国星光电也推出了第三代半导体功率模块。
据介绍，该模块采用自主创新的架构及双面高效散热设计，具有优越的电性能和热性能，杂散电感低、转换效率高、轻载损耗小等优势，其功率密度大，产品体型小，可广泛应用于各种变频器、逆变器的工业领域，满足系统开发人员对空间的严格要求。而且，该模块产品可根据特殊功能需求进行模块化定制开发。
国星光电功率模块
最近，有碳化硅器件企业告诉“三代半风向”，国产碳化硅产品要想走得长远，必须做好可靠性检测。
据专家分析，相对于硅基功率器件，碳化硅功率器件对封装测试技术提出了严峻挑战。因为碳化硅器件的开关速度更快、芯片面积更小、绝缘耐压更高、杨氏模量更大。同时，由于开关速度越来越快，阻抗越来越小，测试难度也越来越高。
为了帮助企业解决碳化硅封测难题，国星光电也在大力布局“三代半封测”业务，2020年国星光电研究院便启动了组建功率器件实验室及功率器件产线的工作。
在三代半封测领域，国星光电的目标是打造高可靠性、高品质优势。
据介绍，成立52年来，国星光电始终坚持高品质和创新发展的道路，不断强化质量管理，得到了行业内外充分肯定和认可，从1976年开始便逐步建立起LED封测的领先地位。
国星光电表示，“三代半封测”的品质管控也继承了“LED封测”优良品质监控系统及行业口碑，把质量管理贯穿于公司经营活动的全过程，持续提升质量管理水平，深入推进质量管理体系建设，为顾客和市场提供高品质的产品与服务。
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