当前位置:服务支持 >  软件文章 >  陡波试验寻找合成绝缘子内部缺陷有效性检验

陡波试验寻找合成绝缘子内部缺陷有效性检验

阅读数 3
点赞 0
article_banner


粟福珩1贾逸梅1王青霞1金 珩2张 宇2周建国2


1. 华北电力大学, 北京 1022062. 华东电力试验研究院上海 200437


VERIFICATION ON EFFECTIVENESS OF STEEP-FRONT WAVE IMPULSE VOLTAGE


TEST TO FIND INTERNAL DEFECTS INSIDE COMPOSITE INSULATORS


SU Fu-heng1, JIA Yi-mei1, WANG Qing-xia1, JIN Heng2, ZHANG Yu2, ZHOU Jian-guo2


1. North China Electric Power University, Beijing 102206, China;


2. East China Power Test and Research Institute, Shanghai 200437, China


ABSTRACT: In order to verify the effectiveness of steep-front


impulse voltage test in finding the internal defects in composite


insulators, some defects at different places inside the composite


insulators are simulated. They are conductive channel, semi-


conductive channel, airy channel, little air bubble, long air


bubble and non-adhesion between the core and the hosing. The


steep-front wave impulse voltages with different steepness are


applied to defective and normal composite insulators


respectively. The electric field distribution in the insulators are


calculated with finite element analysis software to define


whether the insulators will be broken down during the test and


the calculation results are coincident with testing results. The


research results show that the steep-front wave impulse test is


effective for verifying the serious faults existing in the internal


insulation of composite insulators. However, it is not easy to


find the tiny defects by this method.


KEY WORDS: steep-front impulse voltage test; composite


insulators; defects


摘要为了检验陡波试验对于发现合成绝缘子内部故障的


有效性分别模拟绝缘子内部不同部位有导电性半导电


性通道小气泡长气泡和芯棒与护套间不粘连故障的绝缘


子并分别在故障绝缘子和正常绝缘子上施加不同陡度的


陡电压波同时用有限元分析软件计算绝缘子的电场分布


以确定绝缘子在陡波试验中是否会击穿计算结果与实验


结果相一致研究结果表明陡波试验在检验合成绝缘子内


绝缘严重故障方面很有效,但对一些小的故障不易检出


关键词陡波试验合成绝缘子缺陷


1 引言


目前我国的输电系统中有60多万支高压合成


绝缘子运行其中包括许多采用胶合及灌胶工艺


生产的早期产品这些绝缘子在长期运行后可


能形成如端头处密封破坏护套与芯棒界面出现


缝隙等缺陷并陆续导致内绝缘击穿事故对电


网的安全运行造成威胁为此一些电力局采取


了对运行中的绝缘子定期进行抽检的预防性措


施其中一项重要的检验项目就是陡波冲击试验


合成绝缘子的陡波冲击试验是按照IEC1109-


1992 标准的规定对绝缘子分段施加陡度不小于


1000 kV/ s的冲击电压每段长度不大于500 mm


试验是利用外绝缘在陡波下具有很高干闪电压的


特性使被试绝缘子的内绝缘也同时承受到较高


的电压使缺陷处放电从而被发现


为了评价陡波冲击试验发现合成绝缘子内绝


缘故障的有效性制作了一批模拟内绝缘故障的


绝缘子试件并对这些故障绝缘子以及正常的绝


缘子在施加陡波冲击试验电压下的电场强度分布


进行精确计算将故障处的场强值与材料的击穿


场强进行对比以确定是否会在试验中发生击穿


现象估计的结果与试验结果十分接近此项研


究使我们对陡波试验的内涵有了更深入的了解


研究结果对修改现行标准也有重要的参考价值


2 故障模型及试验结果


合成绝缘子中最危险的内绝缘故障是沿轴向


在芯棒与护套界面或芯棒中发展的电致碳痕通道


或受潮缝隙用金属丝和高电阻率材料埋设于绝


万方数据


42Power System Technology Vol. 27 No.1


缘子的芯棒与护套界面处可分别模拟内部导电


通道和半导体通道故障让护套与芯棒间不粘合


以形成内部长气隙通道故障此外还制作了模


拟合成绝缘子的护套和伞裙中存在气泡及导电性


杂质颗粒故障的试件图1为端部有导电性通道


故障绝缘子模型示意图表1为各试件模型及试


验结果


金属丝


图1 端部有导电性通道故障的绝缘子模型示意图


Fig.1 The model of the composite insulator


with conductive channel fault at the end


表1 合成绝缘子试件及陡波冲击试验结果(500mm长试段陡度1000kV/ s干闪电压650kV时)


Tab. 1 The composite insulator models and the result of steep-front impulse voltage test


序号模拟故障类型缺陷处最大场强计算值陡波冲击试验结果


1端部导电性通道故障(φ1.550mm 金属丝)82.5kV/mm故障处绝缘击穿


2端部导电性通道故障(φ1.5100mm 金属丝)247.6kV/mm故障处绝缘击穿


3端部半导电性通道故障(φ1.5100mm半导体材料)164 kV/mm故障处绝缘击穿


4中部导电性通道故障(φ1.5150mm 金属丝)110 kV/mm(当干弧发展到故障处时)故障处绝缘击穿


5贯通性长气隙 (φ1.5100mm)121kV/cm内部贯通性击穿


6端部靠高压电极处夹杂气泡φ3mm213 kV/cm故障处绝缘击穿


7端部靠高压电极处夹杂金属颗粒φ3mm71.3kV/mm故障处绝缘击穿


8远离高压电极处夹杂气泡金属颗粒37kV/mm 未发生击穿


3 陡波试验时各绝缘子电场分布特性分析


试验中对250 mm长绝缘子试段施加陡度为


1000kV/ s及4000kV/ s的陡波时绝缘子外绝缘


的干闪电压分别为443 kV及667 kV对500 mm


长试段则为650 kV 及1000 kV的数值使用有限


元分析软件 ANSYSEmag计算了正常绝缘子和


故障绝缘子试件在陡波试验中内绝缘上的电场强


度分布情况图2~5是各种500 mm长试段沿故障


发生部位内绝缘中的电位分布和场强分布曲线


在图3~5中给出的为施加于绝缘子的电压为100


kV时以kV/ m为单位的场强值实际的场强值


应按实际施加电压值乘以相应的倍数求出从图


中可以看到


曲线1正常绝缘子曲线2端部导电性通道故障 (φ1.550mm金


属丝)曲线3端部导电性通道故障 (φ1.5100mm金属丝)曲线4


中部导电性通道故障 (φ1.5150mm金属丝)的初始状态电压分布曲


线5端部半导电性通道故障 (φ1.5100mm半导体材料)


图2 沿绝缘子轴向电位分布图


Fig. 2 The electric potential distribution (%)


along the axes of the insulator


曲线1正常绝缘子曲线2端部导电性通道故障 (φ1.550mm金


属丝)曲线3端部导电性通道故障 (φ1.5100mm金属丝)曲线4


中部导电性通道故障 (φ1.5150mm金属丝)的初始状态电场分布曲


线5端部半导电性通道故障 (φ1.5100mm半导体材料)


图3 沿绝缘子轴向场强分布图


Fig. 3 The electric field intensity(kV/m)distribution


along the axes of the insulator


1由于在试验中绝缘子不带均压环因此


试验电极间为极不均匀电场结构对于正常绝缘


子高电位和高场强都集中于高压电极附近计


算中还发现若试验电压的陡度很高例如为


4000kV/ s时由于此时外绝缘的干闪电压较高


在紧靠高压电极处尤其是当高压电极为1mm厚


20mm宽的铜片时固体绝缘中的场强值已有可能


超过材料的击穿强度从而可能造成正常绝缘子


的损坏故建议陡波试验标准中应考虑规定施加


电压陡度的上限值


2高压金具端部前方有导电通道故障的试


件表1中序号12其分布特点是导电性通道


将高电位引向故障区域同时在通道尖端处产生极


高的场强故障通道发展得愈长尖端处的场强值


万方数据


第27卷 第1期电 网 技 术43


愈高例如500mm长试件导电通道分别为50mm


和100mm时当施加1000kV/ s陡度的冲击电压


干闪电压为650kV时金属性导电通道故障尖端


处最大场强分别为82.5kV/mm及247.6kV/mm已


大大超过硅橡胶材的击穿场强这些试件在陡波试


验中均发生了击穿即是验证对端部故障通道为半


导电性的绝缘子表1中3也能从图2中看出电


位分布的改变且其尖端处的场强也有很高的数


值在陡波试验中亦会发生击穿


实线1加压初始状态时的电场分布


虚线2当干弧发展到金属丝上方时的电场分布


图4 中部有导电性通道(φ1.5100mm金属丝)故障的


绝缘子沿轴向场强分布图


Fig. 4 The electric field intensity distribution along


the axes of the insulator with conductive channel fault


in the midst


曲线为当干弧发展到接近金属丝时的电场分布


图5 中部有导电性通道(φ1.5100mm金属丝)故障的


绝缘子沿轴向场强分布图


Fig. 5 The electric field intensity distribution along


the axes of the insulator with conductive channel fault


in the midst


3对于通道性故障发生在试件中部的绝缘


子表1中序号4从计算结果看当高电压仅


施加在电极上时干弧还没有形成简称初始状


态由于故障区离电极较远故障处场强虽有畸


变但还达不到引起绝缘破坏的数值见图4中


实线1当外绝缘发生放电电弧从高压电极出


发沿轴向发展到试件中部与故障区接近时计算


场强分布可看到故障通道两端头处的场强已急剧


增加见图4中虚线2受其影响干弧头部的


电力线方向也从轴向变为径向向内指向故障通


道致使导电性通道的端头场强进一步加强见


图5最终导致了干弧放电击穿护套绝缘连通


金属性故障通道经其短路而发展到接地电极


这与在试验中观察到的放电路径一致


所以当绝缘子中存在较严重的绝缘缺陷时


即使缺陷远离试验电极陡波冲击试验中随着放


电这一动态过程的进行缺陷处仍会形成高场强


区致使被击穿而暴露出来表明陡波冲击试验


对内部有严重缺陷的绝缘子有极高的检出能力


4对于因工艺和材料缺陷引起的在硅橡胶


护套和伞裙中的小气泡和夹杂导电性杂质颗粒的


情况计算表明由于缺陷尺寸小他们的存在


对绝缘子整体电位分布一般无影响缺陷处的场


强值则视其距离高压电极和空气闪络路径的远近


而定当相距较近时缺陷处产生的高场强足以


引起气泡或杂质附近的材料放电而被检出而较


远时则不易引发放电因而不能被检出


4 结论


1陡波冲击试验对绝缘子内部较长的通道


性故障不论发生于何部位不论属于导性故障


半导电性还是长气泡性质均有很高的检出能力


2陡波冲击试验对绝缘子中较小的气泡及


杂质颗粒缺陷检出能力将视其与高压电极或空气


闪络路径的距离而定距离较近时才易于发现


3对使用硅橡胶材料护套的绝缘子陡波


试验电压的陡度值应有一定限制否则有可能对


正常绝缘子产生危害


参考文献


[1] Su FuhengJia Yimei. Fault of composite insulators in service and


research of on-line detection method[J]. ISH99 Conference Public-


ation 19994823-27.


[2] 粟福珩贾逸梅. 合成绝缘子的缺陷与陡波试验[J]. 中国电力


1996 29153-55.

免责声明:本文系网络转载或改编,未找到原创作者,版权归原作者所有。如涉及版权,请联系删

免责声明:本文系网络转载或改编,未找到原创作者,版权归原作者所有。如涉及版权,请联系删

相关文章
QR Code
微信扫一扫,欢迎咨询~

联系我们
武汉格发信息技术有限公司
湖北省武汉市经开区科技园西路6号103孵化器
电话:155-2731-8020 座机:027-59821821
邮件:tanzw@gofarlic.com
Copyright © 2023 Gofarsoft Co.,Ltd. 保留所有权利
遇到许可问题?该如何解决!?
评估许可证实际采购量? 
不清楚软件许可证使用数据? 
收到软件厂商律师函!?  
想要少购买点许可证,节省费用? 
收到软件厂商侵权通告!?  
有正版license,但许可证不够用,需要新购? 
联系方式 155-2731-8020
预留信息,一起解决您的问题
* 姓名:
* 手机:

* 公司名称:

姓名不为空

手机不正确

公司不为空