产品
1、量产IC最小尺寸。
答：目前量产的IC最小的产品是22nm工艺的，目前已经开始大规模量产，比如intel的酷睿三代处理器均为22nm工艺。
2、IC及其相关产业发展动向。
答：
1）设计工具与设计方法。随着集成电路复杂程度的不断提高，单个芯片容纳器件的数量急剧增加，其设计工具也由最初的手工绘制转为计算机辅助设计（CAD），相应的设计工具根据市场需求迅速发展，出现了专门的EDA工具供应商。目前，EDA主要市场份额为美国的Cadence、Synopsys和Mentor等少数企业所垄断。中国华大集成电路设计中心是国内唯一一家EDA开发和产品供应商。
2）制造工艺与相关设备。集成电路加工制造是一项与专用设备密切相关的技术，俗称“一代设备，一代工艺，一代产品”。在集成电路制造技术中，最关键的是薄膜生成技术和光刻技术。光刻技术的主要设备是曝光机和刻蚀机，目前在130nm的节点是以193nmDUV（Deep Ultraviolet Lithography）或是以光学延展的248nmDUV为主要技术，而在l00nm的节点上则有多种选择：157nm DIJV、光学延展的193nm DLV和NGL.在70nm的节点则使用光学延展的157nm DIJV技术或者选择NGL技术。到了35nm的节点范围以下，将是NGL所主宰的时代，需要在EUV和EPL之间做出选择。此外，作为新一代的光刻技术，X射线和离子投影光刻技术也在研究之中。
3）测试。由于系统芯片（SoC）的测试成本几乎占芯片成本的一半，因此未来集成电路测试面临的最大挑战是如何降低测试成本。结构测试和内置自测试可大大缩短测试开发时间和降低测试费用。另一种降低测试成本的测试方式是采用基于故障的测试。在广泛采用将不同的IP核集成在一起的情况下，还需解决时钟异步测试问题。另一个要解决的问题是提高模拟电路的测试速度。
4）封装。电子产品向便携式/小型化、网络化和多媒体化方向发展的市场需求对电路组装技术提出了苛刻需求，集成电路封装技术正在朝以下方向发展：
①裸芯片技术。主要有COB（ChipOI1Board）技术和Flip Chip（倒装片）技术两种形式。
②微组装技术。是在高密度多层互连基板上，采用微焊接和封装工艺组装各种微型化片式元器件和半导体集成电路芯片，形成高密度、高速度、高可靠的三维立体机构的高级微电子组件的技术，其代表产品为多芯片组件（MCM）。
③圆片级封装。其主要特征是：器件的外引出端和包封体是在已经过前工序的硅圆片上完成，然后将这类圆片直接切割分离成单个独立器件。
④无焊内建层（Bumpless Build-Up Layer， BBLIL）技术。该技术能使CPIJ内集成的晶体管数量达到10亿个，并且在高达20GHz的主频下运行，从而使CPU达到每秒1亿次的运算速度。此外，BBUL封装技术还能在同一封装中支持多个处理器，因此服务器的处理器可以在一个封装中有2个内核，从而比独立封装的双处理器获得更高的运算速度。此外，BBUL封装技术还能降低CPIJ的电源消耗，进而可减少高频产生的热量。
5）材料。集成电路的最初材料是锗，而后为硅，一些特种集成电路（如光电器件）也采用三五族（如砷化镓）或二六族元素（如硫化镉、磷化铟）构成的化合物半导体。
1956年 约翰巴丁 对半导体的研究和发现晶体管效应
1964年 查尔斯汤斯 在量子电子学领域的基础研究成果，该成果导致了基于微波－激光原理建造的振荡器和放大器
1973年 伊瓦尔贾爱弗 发现半导体和超导体的隧道效应
1981年 凯西格巴恩 对开发高分辨率电子光谱仪的贡献
1987年 约翰内斯 在发现陶瓷材料的超导性方面的突破
2000年 杰克基尔比 在发明集成电路中所做的贡献
2009年 威拉德博伊尔 发明半导体成像器件电荷耦合器件
3、查出与IC发展有关的诺贝尔奖获得者姓名、获奖年份。
4、半导体有什么特点，可有效帮助发展电子产品。
答： 导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料，其电导率在10（U-3）～10（U-9）欧姆/厘米范围内。半导体材料的电学性质对光、热、电、磁等外界因素的变化十分敏感，在半导体材料中掺入少量杂质可以控制这类材料的电导率。正是利用半导体材料的这些性质，才制造出功能多样的半导体器件。 半导体材料是半导体工业的基础，它的发展对半导体技术的发展有极大的影响。半导体材料按化学成分和内部结构，大致可分为以下几类。1.元素半导体有锗、硅、硒、硼、碲、锑等。50年代，锗在半导体中占主导地位，但 锗半导体器件的耐高温和抗辐射性能较差，到60年代后期逐渐被硅材料取代。用硅制造的半导体器件，耐高温和抗辐射性能较好，特别适宜制作大功率器件。因此，硅已成为应用最多的一种增导体材料，目前的集成电路大多数是用硅材料制造的。2.化合物半导体由两种或两种以上的元素化合而成的半导体材料。它的种类很多，重要的有砷化镓、磷化锢、锑化锢、碳化硅、硫化镉及镓砷硅等。其中砷化镓是制造微波器件和集成电的重要材料。碳化硅由于其抗辐射能力强、耐高温和化学稳定性好，在航天技术领域有着广泛的应用。3.无定形半导体材料 用作半导体的玻璃是一种非晶体无定形半导体材料，分为氧化物玻璃和非氧化物玻璃两种。这类材料具有良好的开关和记忆特性和很强的抗辐射能力，主要用来制造阈值开关、记忆开关和固体显示器件。4.有机增导体材料已知的有机半导体材料有几十种，包括萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，目前尚未得到应用 。
5、集成电路有很多优点，但没有一个电路全部由集成的电路组成（你可以看看一些电子设备的电路板，电路中仍有电阻、电容等元器件、晶体管等），为什么不用集成电路来取代这些元器件？
答： 集成电路制造，芯片面积是第一要素部分元器件尺寸受限，是无法集成的，最明显的是电容和电感以常用的220V耐压的电解电容为例，要想在集成电路里实现220V的耐压、容值几十uF的电容，工艺成本本身就会很高，因为，集成电路里面的电容一般耐压都小于5V，目前还没有公司能集成220V耐压电容的，而且在同等面积下，耐压和电容值成反比的。所以，要想做出这么大的电容，不仅需要非常好的工艺水平，还得需要很大的芯片面积，可能比本身电路面积大很多倍，比起单独做个电解电容，成本那可就高了不少，这显然是没事亏钱的行为。
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