Realtek与Ansys合作,前沿仿真加速RFIC与高速IC设计

Ansys RaptorH可检测并减少电磁干扰问题,将建模时间缩短了高达10倍


主要亮点

  • Realtek使用Ansys解决方案加速高度复杂射频集成电路(RFIC)的设计
  • RaptorH帮助Realtek的IC设计人员更快地解决极具挑战的RFIC设计问题,并显著提高仿真的预测准确性与效率


Realtek采用了Ansys开发的先进且用户友好型电磁(EM)仿真工作流程,通过缩小芯片面积加速复杂RFIC设计并提高效率。Realtek采用RaptorH的芯片优化建模流程,通过准确预测从RFIC与高速IC到前沿物联网产品等应用中的EM耦合,大幅缩短仿真时间并减少过度设计浪费。


RFIC的先进节点设计必须应对高频毫米波信号引起的电磁干扰以及不同RF模块之间出现的电磁干扰的挑战。为了更好的把控设计裕量,Realtek IC设计人员依靠Ansys® RaptorH™的大容量引擎来高保真地分析完整的电路模块。


通过采用这种芯片优化建模流程,Realtek设计人员将电磁建模时间缩短了3-10倍。此外,在极其复杂的设计中,他们还通过大幅减少模块到模块的电磁串扰来缩小芯片基板面积。

Realtek与Ansys合作利用前沿仿真工作流程加速RFIC和高速IC的复杂设计的图1

图为Ansys RaptorH对硅上射频线圈进行详细建模以高度精确地模拟电磁相互作用的示例

Realtek副总裁黄依玮(Yee-Wei Huang)表示:“RaptorH提供了高度直观的图形用户界面和简化的设置,无需对布局或代工厂技术文件进行任何手动修改即可执行电磁耦合分析。这有助于我们的工程团队发现片上设计流程中的电磁耦合问题,这种预测精度,加上其高容量和速度,使我们的设计人员能够在不影响全新且极其复杂的芯片保真度的情况下,最大限度地减小面积并提高价值。”


Ansys副总裁兼电子与半导体事业部总经理John Lee指出:“RaptorH在我们行业领先的黄金标准仿真平台中发挥着不可或缺的作用,该平台用于为最新一代IC布局结构中的电磁和多物理场相互作用进行建模。除了提供最佳用户体验与可靠结果,该产品的尖端S参数和简化的SPICE模型可帮助Realtek设计人员捕获超高频信号的行为,以更坚定的信心解决复杂IC布局问题,从而交付更高效、更可靠的产品。”

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