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上海芯导电子科技股份有限公司（以下称“芯导科技”）近日向上交所已经提交招股意向书，并拟向社会公开发行股票1,500.00万股，占发行后总股本的25%。
据招股书信息显示，预计芯导科技公开募集资金用于投资发展项目，包括高性能分立功率器件开发和升级、高性能数模混合电源管理芯片开发及产业化、硅基氮化镓高电子迁移率功率器件开发项目、研发中心建设项目。
芯导科技主营业务为功率半导体的研发与销售，而功率半导体产品包括功率器件和功率IC两大类。通过向市场公开募集资金，有利于扩大公司业务规模，增强研发实力，强化核心能力。
增强功率器件和IC的业务竞争力
据芯导科技表示，通过募投高性能分立功率器件开发和升级及高性能数模混合电源管理芯片开发及产业化项目，这两个项目能够对芯导科技的的主营业务进行进一步补充和提升。
2019年我国功率半导体市场规模约为940.80亿元，占全球市场规模35%左右。虽然中国已经成为全球功率半导体产业的重要市场，但是由于中国的功率半导体行业发展起步相对较晚，在技术实力、产品稳定性方面与欧美同行业公司相比，仍然存在较大差距。目前我国对高性能功率器件仍依赖进口。
以功率IC中的电源管理芯片来看，全球电源管理芯片市场仍由国际规模厂商占据主要份额，如德州仪器、安森美、商升特半导体等。由于国内电源管理芯片企业起步较晚、工艺相对落后等因素，目前国内企业在技术和规模上与国际领先企业存在着一定差距。
目前功率半导体的应用范围已从传统的工业控制和4C产业(计算机、通信、消费类电子产品和 汽车)扩展到5G通讯、新能源、人工智能、智能电网等新领域，这些都会增加了对功率半导体器件种类多元化和性能提升的需求，同时也需要追求产品的低功耗和高能效比。
随着5G通信、物联网、智能家居、汽车电子、工业控制等新兴应用领域的发展，功率半导体行业会踏入发展的快车道，包括TVS/ESD保护器件、MOSFET、肖特基等功率器件和功率IC的用量将会大幅度增长。因此，功率半导体行业下游的市场需求和国内对高性能功率器件的需求均具有广阔的市场空间。
芯导科技的主体产品包括功率器件和功率IC功率器件和功率IC，在功率器件方面，芯导科技会在目前功率器件产品的基础上进行技术开发与升级，开发一系列大功率高性能的TVS产品、超低导通阻抗、超低栅极电荷的MOSFET以及超低VF的肖特基二极管，扩展现有产品系列、加强对现有产品的更新迭代。
在功率IC方面，通过加大投入，可以促进高性能数模混合电源管理芯片技术的开发和积累，实现产业化，并丰富产品系列以满足消费电子市场对电源管理芯片产品的需求。多年专注于功率半导体设计与销售，令其在消费电子领域的功率IC领域有一定的技术储备和客户的资源。按照芯导科技方面的规划，未来其会把功率IC技术的开发和产业化紧密结合，加大对高性能功率IC技术更深入的开发和研究。
根据招股书方面信息显示，高性能分立功率器件开发和升级项目达产后，能够实现大功率高性能的TVS产品年销量增加654.15百万颗、超低导通阻抗、超低栅极电荷的MOSFET产品年销量增加285.10百万颗以及超低VF的肖特基二极管年销量增加593.96百万颗。
高性能数模混合电源管理芯片开发及产业化项目达产后，预计每年新增销售高性能数模混合电源管理芯片426.36百万颗，提升芯导科技在功率IC领域的市场份额，优化整体收入结构。
上述两个项目落址均为上海张江高科科技园区内，项目建设时间均为3年。
抓紧第三代半导体材料机遇
芯导科技的募资项目里面，值得关注的会是硅基氮化镓高电子迁移率功率器件开发项目。通过该项目，其可以满足产业内未来第三代半导体材料应用导致对功率器件性能提升的需求，能够为产业内的相关新技术和新材料的创新突破进行前瞻性的布局。
当前半导体产业正在发生变革，其中新材料成为产业新的发展重心。以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等材料为代表的新材料半导体，业界称为第三代半导体。因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而受到行业关注，成为了新型的半导体材料。
第三代半导体材料主要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带的半导体材料，是未来 5G 时代的标配，是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料。
有数据统计，2024年GaN功率半导体市场规模将超过3.5亿美元，2018年至2024年的年均复合增长率达到85%。GaN 器件具备导通电阻小、损耗低以及能源转换效率高等优点，可在高频情况下保持高效率水平工作且制成的充电器还可以做到较小的体积，目前其下游消费类应用主要以手机快充、无线充电为主，未来将有望被广泛运用于5G通讯、智能电网等领域。
正因为第三代半导体材料的高速发展，其必然会增加对功率器件的性能和技术提出了新的需求。目前欧美、日韩及台湾等地区已经实现 SiC、GaN 等新材料半导体功率器件的量产，芯导科技不但想通过该项目能够满足更多下游应用领域的需求，而且能够支持我国的第三代半导体产业的发展，抓紧国家对于第三代半导体产业的扶持发展的机遇。
据了解，该项目的产品将主要应用在电子快速充电产品中，下游主要应用于消费类电子、数据中心等领域。本项目建成达产后，预计每年新增销售第三代半导体 GaN-on-Si HEMT功率器件7.44百万颗，提升芯导科技在第三代半导体材料应用领域的市场竞争力。
建设研发中心，吸引人才
芯导科技通过研发中心建设项目，希望能够进一步引进功率半导体领域的优秀人才，购置先进的研发及实验设备，对公司现有核心技术、主要产品以及战略规划中未来拟研发的新技术、新产品及新兴应用领域进行长期深入的研究和开发。
随着国内的物联网、人工智能、5G 的逐步发展，新技术环境的变化与创新，可以遇见在未来将会带动芯导科技主营的功率半导体产品在应用领域和市场覆盖范围得到持续的提升。
中长期来看，国内功率半导体企业在政策、资金等因素驱动下，必然将逐步突破业内高端产品的核心技术，降低国内高端功率半导体产品对进口的依赖，整体提升国内功率半导体市场的国产化率。
芯导科技所处的功率半导体行业目前技术发展迅猛，市场竞争充分，因此要持续创新提升研发实力和创新水平才能不被市场所淘汰并能获得良好的发展机遇。研发中心的建立，能够为公司未来产品的开发和技术拓展提供良好的基础，对行业前沿技术进行开发，从而持续提升公司整体的研发创新能力，丰富核心技术储备和优化产品种类，增强抗市场波动风险的能力。
除此之外，研发中心还能够吸引并引进优秀研发和管理人才，并且购置先进的研发及实验设备，能够打造一个集技术开发和储备、新产品检测和测试、研发体系运营管理为一体的基地，实现在技术支持、软硬件环境平台和运营服务方面的水平提升和保障。
招股书信息显示，公开募集资金用于的项目均是根据芯导科技的战略规划和发展目标制定，主要用于研发和技术创新的投入，其是有利于公司技术创新和产品迭代、扩张业务规模、提高市场占有率、提升核心竞争力。
未来三年，芯导科技方面有着自身的发展规划与目标，包括了加大研发投入力度，加快研发中心建设，大力推进新产品开发及产业化，加强开拓市场，提升公司品牌。
第一点是加快研发中心的建设，在整合公司研发资源的基础上，通过建设新产品研发实验室，配备先进的研究实验设备与检测设备，并引进专业技术人才，将研发中心建设成为集产品设计与封装、功能验证及可靠性试验等为一体的综合性平台型研发中心。
第二点是推进新产品开发和产业化。针对功率器件，芯导科技将开发一系列应用于消费类电子、物联网、工业控制等领域的大功率高性能ESD/TVS产品、超低Vf的肖特基二极管以及超低导通阻抗、超低栅极电荷的MOSFET、第三代半导体GaN-on-Si HEMT功率器件，同时扩展现有的产品系列，保持一定的产品更新换代速度。
针对功率IC产品，其将加速USB P快充技术的开发，以此满足5G时代手机快充市场。加速有竞争力的 DC-DC、LDO稳压器产品开发和布局，抢占5G时代手机终端需求及随之而来的物联网(IOT)平台超低功耗电源管理。
最后一点是加强市场拓展、提升品牌优势。充分利用现有的技术优势和产品供应优势，根据市场需求不断推陈出新，丰富产品类别，拓展应用领域，提升服务质量，为客户提供更加丰富的产品和优质的服务，实现市场拓展和业务增长。
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